Поверхня напівпровідників як самостійний об'єкт дослідження фізики твердого тіла привертає увагу учених всього світу вже більше п'ятдесяти років. За цей час накопичений значний експериментальний і теоретичний матеріал що дозволив досягти високого феноменологічного рівня опису різних процесів. Успіхи фізики поверхні напівпровідників слугують науковою основою розвитку мікроелектроніки, акустоелектроніки, вакуумної техніки, елементної бази обчислювальних систем і багатьох інших областей приладобудування. Для практичних цілей надзвичайно привабливою виявилася можливість мініатюризації виробів, що привела до створення інтегральних схем з величезним числом робочих елементів на малих площинах. Поверхнева дифузія, що є поширенням речовини по поверхні твердого тіла, відноситься до явищ, що визначають багато важливих властивостей кристалів (каталітичні і адсорбційні характеристики, механізми зародження і росту і ін.). Її прикладне значення пов'язане з участю в процесах спікання і адгезії твердих тіл, адсорбційного зниження їх міцності, старіння (деградації) напівпровідникових тонкоплівкових і шаруватих систем. У напівпровідниковій електроніці вона істотна в технології виготовлення епітаксіальних структур при легуванні тонких (1 мкм) шарів, а також створенні електродів і контактів. Встановлено, що мікромеханізми дифузії залежать від структури, динаміки і електронних параметрів поверхні. Тому вивчення міграції атомів на поверхні викликане як самостійним інтересом так і прагненням уточнити і розширити наукові уявлення про всілякі фізико-хімічні властивості міжфазних границь [19]. Метою даної роботи було розробити нову методику дослідження дефектів структури в монокристалічному германії, стосовно приповерхневих шарів. Актуальність поставленого завдання обумовлена тим, що розвиток фізики поверхні напівпровідників і її технічних застосувань висунуло ряд нових наукових проблем. Головна з них полягає в необхідності проникнути в мікромеханізми різних поверхневих явищ, розкрити причини останніх на атомному рівні і знайти взаємозв'язок між ними. Предмет дослідження: процеси рекомбінації нерівноважних носіїв заряду на дефектах кристалічної будови (вакантно-домішкових кластерах), створених низькотемпературною деформацією в приповерхневих шарах германію. Метод дослідження: вимірювання часу життя нерівноважних носіїв заряду в германії n-типу методом модуляції провідності в точковому контакті з поверхнею напівпровідника. Багато властивостей і характеристик напівпровідникових приладів з гетеропереходами, тонкоплівкових приладів на діелектричних підкладках, гетеропереходів і багатошарових структур типу надграток істотно залежать від внутрішнього механічного напруження, яке створюється в них унаслідок з'єднання різнорідних матеріалів, що породжують дефекти типу дислокацій і кластерів з точкових дефектів. Такі дефекти є ефективними центрами рекомбінації нерівноважних носіїв заряду, що знижують їх час життя і що впливають на процеси перенесення зарядів в напівпровідникових структурах. Тому, вимірюючи час життя τ нерівноважних носіїв заряду в приповерхових шарах, можна робити висновок про ступінь дефектності напівпровідника. Крім того, метод модуляції провідності для виміру τ володіє локальністю, тобто величина τ визначається концентрацією дефектів в малій (декілька мікрон) приконтактній області між металевим зондом і поверхнею. Ця властивість методу дає можливість оцінювати ступінь дефектності в різних точках на поверхні і таким чином складати топограмму розподілу густини дефектів структури. Вакансійно-домішкові кластери створюють глибокі енергетичні рівні в забороненій зоні напівпровідника, а тому є ефективними центрами рекомбінації надлишкових (нерівноважних) носіїв заряду, які можуть створюватися опроміненням світлом, інжекцією зарядів через p-n перехід і іншими методами.
Введение.. 4 Литературный обзор.. 7 Основные сведения о молекулах белков. 7 Конформационная подвижность белка. 7 Потенциальная энергия конформаций белка. 10 Структура энергетической поверхности полипептида. 14 Управляемая молекулярная динамика 17 Растягивание молекулы с постоянной скоростью. 17 Растягивание молекулы с постоянной силой. 18 Экспериментальная часть. 19 Объекты и методы исследования. 19 Результаты и обсуждение. 22 УМД молекулы белка при комнатной температуре. 22 УМД молекулы белка при высоких температурах. 25 Выводы... 31 Литература.. 32
Введение.. 4 Литературный обзор.. 7 Структура белков. 7 Общие сведения о первичной структуре белка. 7 Вторичная структура белка. Белки с a‑спиралями. 9 Управляемая молекулярная динамика 15 Растягивание молекулы с постоянной скоростью. 16 Растягивание молекулы с постоянной силой. 17 Возможности, предоставляемые программой NAMD для выполнения управляемой молекулярной динамики. 17 Экспериментальная часть. 19 Объекты и методы исследования. 19 Особенности симуляции управляемой молекулярной динамики с постоянной скоростью. 21 Особенности симуляции управляемой молекулярной динамики с постоянной силой. 22 Результаты и обсуждение. 23 Управляемая молекулярная динамика молекулы белка 1bdd. 24 Растягивание с помощью метода управляемой молекулярной динамики одного спирального участка молекулы 1bdd. 30 Растягивание с помощью метода управляемой молекулярной динамики спирального полипептида из молекулы 1bdd. 32 Обсуждение. 34 Выводы... 37 Литература.. 38 Приложение 1. 39
Введение.. 4 Литературный обзор.. 6 Общие сведения о молекулах белков. 6 Первичная структура, аминокислотный состав белков. Характеристика аминокислот. 6 Пептидная связь, пептиды и полипептиды. 9 Вторичная структура белков. Основные определения и терминология. 12 Конформационная подвижность белка. 13 Исследование взаимодействия боковых групп в b-структуре. 16 Гидрофобные взаимодействия. 19 Экспериментальная часть. 21 Объекты и методы исследования. 21 Результаты и обсуждение. 24 Выводы... 33 Литература.. 34
Вступ….…………………………………………………………………………3 Огляд літератури………………………...........................................5 Вплив термоциклічної обробки і стаціонарного відпалу на дислокаційну структуру германієвого монокристалу. 5 Динаміка дислокаційної структури в умовах нестаціонарного температурного поля 11 Зародження дислокацій в домішкових монокристалах . 19 Рухливість дислокацій в кристалах , опромінених високоенергетичними електронами. 21 Пластичні властивості і дефектна структура розшарованих монокристалів : при = K.. 23 Дислокаційна структура монокристалів LiF в умовах різких термічних змін 28 Вплив термоциклування на ступінчасту повзучість монокристалів при К в області дії механізму виснаження дислокацій. 32 Вплив термічних змін на дислокаційну структуру монокристалів ……………………………………………………..36 Методика, результати досліджень та їх обговорення…………………………36 Висновки…………………………………….........................................44 Список використаної література………………………………45
Розділ I. Вступ……………………………………………………………………….3 Розділ II. Основні уявлення про дифузію у твердих тілах…………………….7 Розділ III. Огляд літератури III.1. Особливості атомно-електронної структури й динаміки решітки поблизу вільної поверхні………………………………………………………………….14 III.2. Аналіз і обчислення розподілу напружень в деформованій пластині….20 III.3. Дифузія в полі напружень III. 3.1. Рівняння дифузії…………………………………………………….32 III. 3.2. Граничні умови…………………………………………………..…34 Розділ IV. Експериментальні дослідження IV.1. Установка для статичного вигину напівпровідникових пластин………37 IV.2. Результати експерименту і їх обговорення……………………………...42 Висновки…………………………………………………………………………...53 Література…………………………………………………………………………54
Поиск